[22a-C401-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

9:30 〜 9:45

[22a-C401-3] Ge関連欠陥のフォトブリーチング

〇(M2)長壁 摩弥¹、高橋 孝汰¹、齋藤 和也¹ (1.豊田大工)

キーワード：

シリカガラス,欠陥

Geを添加したシリカガラスにおいて、Ge関連欠陥はX線や紫外線照射によって生成され、ファイバデバイスなどに応用されている。しかし、一方でこれらの欠陥は特定の波長の光を照射することで消失することが知られてている。しかしその機構や照射波長依存性など未解明の点が多い。そこで本研究はGe添加シリカガラスにＸ線を照射して欠陥を生成し、その後青色LD照射による欠陥消失過程を調べた。