[22a-C401-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

10:45 〜 11:00

[22a-C401-7] SiC添加SiO_x薄膜の光吸収および発光特性の膜厚・熱処理温度依存性

〇(M1)岩崎 颯太¹、中村 昂雅¹、勝俣 裕¹ (1.明大理工)

キーワード：

SiC,量子ドット,ナノ結晶