[22a-C402-1~10] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

9:15 〜 9:30

[22a-C402-2] InP/Si 基板上 SCH - MQW レーザの散乱損失を考慮した低しきい値構造の検討

〇黒井 瑞生¹、趙 亮¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：

理論計算,シリコンフォトニクス,InP