セッション詳細
[22a-C402-1~10]3.12 半導体光デバイス(旧3.13)
2023年9月22日(金) 9:00 〜 11:45
C402 (国際交流会館)
下村 和彦(上智大)、 横田 信英(東北大)
[22a-C402-1]ガスアウトチャネルを有する直接貼付InP/Si基板上GaInAsP系半導体レーザの発振特性
〇趙 亮1、Gandhi Kallarasan Periyanayagam1、ZHANG JUNYU1、矢田 涼介1、下村 和彦1 (1.上智大学)
[22a-C402-6]ポリ塩化ビニルを用いた半導体薄膜の高速転写プリント集積の検討
〇佐藤 拓未1、赤星 颯麻1、藤田 晃成1、岩本 敏2、太田 泰友1 (1.慶大理工、2.東大先端研)
[22a-C402-7]Flexible organic photoplethysmography sensors based on large-area organic photodiodes for long-term pulse wave monitoring
〇(M2)SHUYANG GUO1, Sunghoon Lee1, Tomoyuki Yokota1, Takao Someya1 (1.The Univ. of Tokyo)
[22a-C402-9]Enhanced internal quantum yield for dysprosium doped novel niobate based phosphors
〇(DC)Kanishk Poria1, Nisha Deopa2, Jangvir Singh Shahi1 (1.Panjab Univ., 2.Ch. Ranbir Singh Univ.)
[22a-C402-10]CHARACTERISTICS OF p-NiO/ n-CdO: ZnO HETEROJUNCTIONS AND ROLE OF p-CuO HOLE TRANSPORT LAYER
〇SAHEER CHEEMADAN1, Santhosh Kumar2 (1.MAMO College, Manassery, INDIA, 2.NIT TRICHY, INDIA)