セッション詳細

[22a-C402-1~10]3.12 半導体光デバイス(旧3.13)

2023年9月22日(金) 9:00 〜 11:45
C402 (国際交流会館)
下村 和彦(上智大)、 横田 信英(東北大)

[22a-C402-1]ガスアウトチャネルを有する直接貼付InP/Si基板上GaInAsP系半導体レーザの発振特性

〇趙 亮1、Gandhi Kallarasan Periyanayagam1、ZHANG JUNYU1、矢田 涼介1、下村 和彦1 (1.上智大学)

[22a-C402-2]InP/Si 基板上 SCH - MQW レーザの散乱損失を考慮した低しきい値構造の検討

〇黒井 瑞生1、趙 亮1、下村 和彦1 (1.上智大理工)

[22a-C402-3]共振器のラフネスが波動カオスモードに与える影響

〇福嶋 丈浩1 (1.岡山県立大情報工)

[22a-C402-4]パッシブクエンチ型光子検出器による高速QKDの検討

〇(M1)加藤 寿嗣1、富田 章久2、岡本 淳2、金澤 昌俊2 (1.北大院情報科学、2.北大情報科学研)

[22a-C402-5]SiNx 光回路上 Hf0.5Zr0.5O2不揮発性位相シフタのヘテロ集積の検討

〇(M1)藤谷 諭史1、山下 大貴1、一色 秀夫1 (1.電通大)

[22a-C402-6]ポリ塩化ビニルを用いた半導体薄膜の高速転写プリント集積の検討

〇佐藤 拓未1、赤星 颯麻1、藤田 晃成1、岩本 敏2、太田 泰友1 (1.慶大理工、2.東大先端研)

[22a-C402-7]Flexible organic photoplethysmography sensors based on large-area organic photodiodes for long-term pulse wave monitoring

〇(M2)SHUYANG GUO1, Sunghoon Lee1, Tomoyuki Yokota1, Takao Someya1 (1.The Univ. of Tokyo)

[22a-C402-8]2次元ホールアレイ型金属回折格子によるSOIフォトダイオードの光感度向上効果

〇山本 竜爾1、佐藤 弘明1,2 (1.静岡大院総科技、2.静岡大電子研)

[22a-C402-9]Enhanced internal quantum yield for dysprosium doped novel niobate based phosphors

〇(DC)Kanishk Poria1, Nisha Deopa2, Jangvir Singh Shahi1 (1.Panjab Univ., 2.Ch. Ranbir Singh Univ.)

[22a-C402-10]CHARACTERISTICS OF p-NiO/ n-CdO: ZnO HETEROJUNCTIONS AND ROLE OF p-CuO HOLE TRANSPORT LAYER

〇SAHEER CHEEMADAN1, Santhosh Kumar2 (1.MAMO College, Manassery, INDIA, 2.NIT TRICHY, INDIA)