[22a-C501-1~8] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[22a-C501-8] SiO₂/Si基板上の超伝導デバイス間におけるフォノン伝播の研究

〇(M1)飯塚 竜也¹、水柿 義直¹、島田 宏¹ (1.電通大情報理工)

キーワード：

フォノン,伝播経路,超伝導デバイス

本研究ではSiO₂/Si基板上に作製した超伝導量子干渉計（SQUID）と単一クーパー対トランジスタ（SCPT）を用いてフォノンの発生、検出実験を温度T≃70mK下で行った。SQUIDはフォノン発生器、SCPTはフォノン検出器として機能する。デバイス間でのフォノンの伝播経路を特定するために、デバイス間のSiO₂層のエッチング溝の有無によるフォノン到達度の比較を行った。測定結果は表面デバイス間ではフォノンがSiO₂層を伝播していることを示している。