セッション詳細

[22a-C501-1~8]22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2023年9月22日(金) 9:30 〜 11:45
C501 (国際交流会館)
野村 政宏(東大)、 馬場 寿夫(JST)

[22a-C501-1]3次元自己組織化多層SiGeナノドットの熱物性

〇横川 凌1,2、寿川 尚1、前田 唯葉1、伊藤 佑太1、山下 雄一郎3、Wen Wei-Chen4、山本 裕司4、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.産総研、4.IHP)

[22a-C501-2]ラマン分光法によるSiGeナノワイヤの熱伝導測定

〇寿川 尚1、横川 凌1,2、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL)

[22a-C501-3]SiGe薄膜におけるナノ構造作製の熱電性能に与える影響

〇小池 壮太1、柳澤 亮人1、黒澤 昌志2、Jha Rajveer3、辻井 直人3、森 孝雄3、野村 政宏1 (1.東大生研、2.名古屋大、3.物材機構)

[22a-C501-4]Si-Ge-Sn-O四元系アモルファス薄膜における低熱伝導率の発現

〇(PC)鎮目 邦彦1、佐々木 道子1,2、後藤 真宏2、塩見 淳一郎1 (1.東大院工、2.物材機構)

[22a-C501-5]銀カルコゲナイドの相変態を利用した高性能熱ダイオードの開発

〇後藤 友輔1、平田 圭佑1、松波 雅治1、竹内 恒博1 (1.豊田工大)

[22a-C501-6]バイアス電圧で動作する横方向熱流スイッチング素子の開発

〇(M1)樋田 怜史1、松波 雅治1、竹内 恒博1 (1.豊田工大)

[22a-C501-7]低い格子熱伝導率を示すM-Si-N-Te(M=遷移金属元素)窒化物薄膜の開発

〇安達 真樹1、藤田 利晃1 (1.三菱マテリアル)

[22a-C501-8]SiO2/Si基板上の超伝導デバイス間におけるフォノン伝播の研究

〇(M1)飯塚 竜也1、水柿 義直1、島田 宏1 (1.電通大情報理工)