講演情報
[22a-C601-10]ハロゲン化金属ペロブスカイト型半導体CsSnxPb1-xBr3傾斜組成薄膜の作製と評価
笹木 廉1、中村 大介1、劉 子豪1、〇五月女 真人2、近藤 高志1,2 (1.東大工、2.東大先端研)
キーワード：
ペロブスカイト太陽電池,真空蒸着,傾斜組成薄膜
ペロブスカイト太陽電池にヘテロ構造や組成傾斜を導入できれば、解放端電圧や短絡電流の増大による光電変換効率の向上が期待される。CsSnxPb1-xBr3のBサイト組成を厚み方向で組成が0〜100%の範囲で制御することでバンドギャップが深さ方向で線形に変化する「線形傾斜組成薄膜」を真空蒸着し、逆構造の太陽電池を作製した。XRD・光吸収・AFM・I-V特性の結果から，傾斜組成構造の結晶性・光学特性・光照射下安定性等についても議論する。