[22a-D903-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

12:00 〜 12:15

[22a-D903-12] 金属（M1）/絶縁体（INS)/有機半導体（OS)/金属（M2)［MIOM］コンデンサーにおける非熱平衡型電荷抽出

〇田島 裕之¹、角屋 智史²、小田 丈志¹ (1.兵県大理、2.甲南大理工)

キーワード：

ヒステレシス,有機半導体,MIOM キャパシタ

MIOM キャパシタは、有機半導体 (OS)/金属 (M2) コンタクトがオーミック接合を形成する場合MIS キャパシタと等価である。しかし、OS/M2 接合はショットキー接合を形成することが多い。このような場合、電荷の注入／抽出時にヒステレシス挙動が生じやすいことを、実験と理論に基づいて本発表では述べる。