[22a-D903-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

11:00 〜 11:15

[22a-D903-8] 非貴金属トップコンタクト電極の形成における MoO₃堆積の効果

〇惟村 直輝¹、溝口 嶺¹、徐 晋¹、小野島 紀夫¹ (1.山梨大)

キーワード：

非貴金属電極,トップコンタクト有機トランジスタ,X線光電子分光法

我々は以前に，非貴金属電極を用いて OFET の 作製を行い，電極下部に MoO₃を堆積させ， Au 電極と同等の良好なトランジスタ特性が得られた．しかし，MoO₃ 堆積による非貴金属トップコンタクト電極の形成において具体的メカニズムは不明であった．今回，XPS の深さ方向分析を用いてMoO₃ 層を観察し，Mo 原子の活性層内部への侵入とMo原子の複数の酸化準位の形成が確認された．