[22a-D903-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

11:15 〜 11:30

[22a-D903-9] SiO₂表面のプラズマ窒化処理によるペンタセン膜中ホール侵入深度向上の検討

〇後藤 直樹¹、入江 祐太朗¹、斉藤 基¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：

有機半導体