講演情報
[22p-A306-9]単層カーボンナノチューブを用いた熱電発電におけるデバイス安定性評価
〇田中 直樹1,2、本城 恵美1、藤ヶ谷 剛彦1,2,3 (1.九大院工、2.九大WPI-I2CNER、3.九大CMS)
キーワード：
単層カーボンナノチューブ,熱電発電,ゼーベック係数
我々は最近、ジメチルベンズイミダゾール誘導体とポリエチレンイミンでドープした大気安定n型SWCNT膜と未ドープのp型SWCNT膜を用いて、pn構造1パターンのデバイス出力を測定したところ、400分後には出力が約25%低下することを明らかにした。このデバイス性能の劣化は、社会実装に向けて解決しなければならない重要課題である。そこで本研究では、p型SWCNTとn型SWCNTの両面からデバイス性能劣化の原因を解明することを目的とする。