[22p-A307-1~17] 6.6 プローブ顕微鏡

13:15 〜 13:30

[22p-A307-2] SNDMポテンショメトリによる半導体表面トラップ電荷の影響補償

〇宮戸 祐治¹、野崎 博樹²、間山 憲仁² (1.龍谷大先端理工、2.東芝ナノアナリシス)

キーワード：

走査型非線形誘電率顕微鏡,ポテンショメトリ,半導体評価

走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)は、半導体評価において高い分解能でキャリア分布を可視化できる手法の１つであるが、走査中にプローブから試料表面へ電荷が偶発的にトラップされる現象を確認している。試料に加える直流バイアスが一定の場合、トラップ電荷の影響によって得られたSNDMの結果の定量性・信頼性が損なわれる可能性があった。本講演では、電荷注入があってもその影響を抑制するために、SNDMポテンショメトリを適用した結果について発表する。