講演情報
[22p-A307-5]2探針STMによる水素終端Si表面上での少数キャリア注入の効果
〇小野田 穣1、Livadaru Lucian2、Wolkow Robert3、Pitters Jason4 (1.福岡教育大、2.Quantum Silicon Inc、3.アルバータ大、4.カナダ国立研究評議会)
キーワード：
走査トンネル顕微鏡,半導体,少数キャリア注入
水素終端Si表面上のダングリングボンド(DB)を用いた原子スケールデバイスが注目を集めている。本研究では、2探針走査トンネル顕微鏡(STM)を用いて水素終端Si(100)表面への少数キャリア(ホール)注入の効果を調べた。片方の探針でホール注入しながら、もう片方の探針でSTM観察とI-V測定を行った結果、注入されたホールが探針側へ移動しバンドベンディングを低減させること、また、DBの電荷状態を変化させることが分かった。