[22p-A501-1~16] 6.5 表面物理・真空

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[22p-A501-3] Si(111)上に作製したIn多層膜の成長と電子構造

〇村田 朋香¹、黒石 健太¹、湯川 恵介¹、八田 振一郎¹、奥山 弘¹、有賀 哲也¹ (1.京大院理)

キーワード：

金属超薄膜,角度分解光電子分光,低速電子回折

Si(111)基板上に作製したIn多層膜の成長と電子構造について、LEEDとSTM、ARPESを用いて調べた。In2原子層構造上に基板温度100 KでInを蒸着すると、厚さの異なる２つのIn/Si(111)-√3×√3-R30°超構造が層状成長することをSTMとLEEDの観察から発見した。2つの√3×√3構造の2次元フェルミ面は、複数の歪んだ六角形が入れ子になっており、In2原子層構造の自由電子的な円形フェルミ面とは大きく異なっている。