講演情報
[22p-C601-6]金属ハライドダブルペロブスカイト半導体の光・電子物性における Cu ドーピング効果
〇圓道 多起1、石川 大輔1、松石 清人1 (1.筑波大学)
キーワード：
半導体,太陽電池,ダブルペロブスカイト
ハロゲン化金属ダブルペロブスカイト半導体は環境に易しく、安定性の高い新たな太陽電池材料として注目されている。
しかし、実用化に向けては適正値大きいバンドギャップ（BG）を持つ。そこで本研究ではBGの変調が期待できるCuを直接型BGをもつ単結晶ダブルペロブスカイトにドープした試料を作製し、光物性を調べた。
講演では、直接型、間接型のBG持つ試料におけるドーピング効果の違いについても議論する。
しかし、実用化に向けては適正値大きいバンドギャップ（BG）を持つ。そこで本研究ではBGの変調が期待できるCuを直接型BGをもつ単結晶ダブルペロブスカイトにドープした試料を作製し、光物性を調べた。
講演では、直接型、間接型のBG持つ試料におけるドーピング効果の違いについても議論する。