[22p-P10-1~18] 13.8 光物性・発光デバイス

[22p-P10-14] ドット間結合を目指すCdSe量子ドット集積膜の作製

〇(M2)樋口 翔¹、葛谷 俊博²、武田 圭生²、渡邊 厚介³、濱中 泰¹ (1.名工大院、2.室工大、3.九大院工)

キーワード：

量子ドット,光デバイス,薄膜

半導体量子ドット(QD)が高密度に周期配列した超格子を形成すると、ドット間結合に基づく、単独のQDとは異なる特性が発現する。本研究では、QD超格子特有の光物性の観測を目標に、CdSe QDを用いた高密度集積膜を作製した。溶液と比較して集積膜の第一吸収ピークが約10meVレッドシフトした。また、集積膜の発光寿命は高エネルギー側が短かった。これらの結果は、QDの波動関数の結合及び励起エネルギーが生じている可能性を示唆している。