セッション詳細

[22p-P10-1~18]13.8 光物性・発光デバイス

2023年9月22日(金) 16:00 〜 18:00
P10 (熊本城ホール)

[22p-P10-1]デバイス応用に向けたTiO2:Sm薄膜の発光特性とキャリア濃度の評価

〇石澤 飛鳥1、村山 真理子1,2、相沢 宏明3、加来 慎一郎1、宮野 和人1、趙 新為1 (1.東理大理、2.東洋大工技研、3.東洋大理工)

[22p-P10-2]デバイス応用に向けたNiO:Li薄膜の物性評価

〇加來 慎一郎1、村山 真理子1,2、石澤 飛鳥1、宮野 和人1、趙 新為1 (1.東理大理、2.東洋大工技研)

[22p-P10-3]アニール温度によるAlN:Eu薄膜中のEu2+, Eu3+濃度比の制御と発光特性の評価

〇宮野 和人1、千 英達1、村山 真理子1,2、石澤 飛鳥1、加來 慎一郎1、趙 新為1 (1.東理大理、2.東洋大工技研)

[22p-P10-4]櫛形電極と電界分布:無機ELデバイスにおける解析

〇佐藤 健人1、寉田 柚希1、藁科 圭吾1、佐藤 修一1 (1.東京電機大)

[22p-P10-5]微小LEDディスプレイを指向する新規希土類配位蛍光体の光物性

〇中西 貴之1、許 健1、高橋 向星1、広崎 尚登1、武田 隆史1 (1.物材機構)

[22p-P10-6]Sr(3-x)Cax(PO4)2:Eu2+の発光特性に対するEu置換サイトの原子濃度依存性

〇入倉 愛梨1、蔦 将哉2、加藤 有行3、島宗 洋介1 (1.長岡高専、2.木更津高専、3.長岡技科大工)

[22p-P10-7]Y₄Si₂O₇N₂: Eu³⁺赤色蛍光体に対するO₃雰囲気中での低温アニール

〇(M1)篠田 裕喜1、古家 廉太郎1、大観 大観1、國本 崇2 (1.鳥大、2.徳文大)

[22p-P10-8]TiO2-ZnO:Yb3+/Ho3+の緑色アップコンバージョンにおけるYb共添加剤の影響

〇野中 俊宏1、比嘉 蒼1、真田 響1、山本 伸一2 (1.豊田高専、2.龍谷大理工)

[22p-P10-9]Gd2SiO5: Yb3+, Er3+のアップコンバージョン特性に対する第三イオンの添加効果

〇柳橋 和輝1、田中 義久1、佐俣 博章1 (1.神戸大海事)

[22p-P10-10]Sr2-x-yBaxCayZn2Ga2O7: Bi3+ の蛍光特性

〇津田 海1、花登 瞭1、御澤 悠希1 (1.神戸大海事)

[22p-P10-11]近赤外蛍光結晶化ガラスCr2O3-CaO-GeO2に対するNb2O5添加の影響

〇七井 靖1、佐竹 優太郎1、北沢 信章1 (1.防衛大)

[22p-P10-12]半導体超格子バリアを有する量子ドットスピン偏極発光ダイオードの作製

〇沈 承赫1、江藤 亘平1、樋浦 諭志1、高山 純一1、スバギョ アグス1、末岡 和久1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)

[22p-P10-13]半導体量子ドットと超格子バリアを用いたスピン受光ダイオードの円偏光受光特性

〇矢野 龍弥1、日置 拓実1、江藤 亘平1、樋浦 諭志1、高山 純一1、スバギョ アグス1、末岡 和久1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)

[22p-P10-14]ドット間結合を目指すCdSe量子ドット集積膜の作製

〇(M2)樋口 翔1、葛谷 俊博2、武田 圭生2、渡邊 厚介3、濱中 泰1 (1.名工大院、2.室工大、3.九大院工)

[22p-P10-15]RF-MBE 法で成長した AlGaAsN のフォトルミネッセンス発光

〇(M2)南 奈津1、井上 洸1、塚崎 貴司1、藤田 美樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)

[22p-P10-16]AlGaAs/GaAs超格子太陽電池のPL法による評価

〇梅木 蒼生1、有田 晴香1、塚崎 貴司1、藤田 実樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)

[22p-P10-17]ナノコラムLEDにおける連続的なITO電極形成技術

〇進藤 隆太1、赤川 広海1、山口 智広1、尾沼 猛儀1、野村 一郎2,3、本田 徹1、富樫 理恵2,3、岸野 克巳2 (1.工学院大、2.上智大ナノテク、3.上智大理工)

[22p-P10-18]臭化鉛ペロブスカイト物質における励起子ー励起子散乱の観測と励起子物性の評価

〇熊本 瑞貴1、下迫 直樹2、劉 子豪3、五月女 真人4、近藤 高志3,4、欅田 英之1、江馬 一弘1 (1.上智大理工、2.静岡大、3.東大工、4.東大先端研)