[22p-P10-1~18] 13.8 光物性・発光デバイス

[22p-P10-3] アニール温度によるAlN:Eu薄膜中のEu²⁺, Eu³⁺濃度比の制御と発光特性の評価

〇宮野 和人¹、千 英達¹、村山 真理子^1,2、石澤 飛鳥¹、加來 慎一郎¹、趙 新為¹ (1.東理大理、2.東洋大工技研)

キーワード：

半導体,希土類元素