[23a-A202-1~11] 17.3 層状物質

11:30 〜 11:45

[23a-A202-10] 自然酸化層を介した遷移金属ダイカルコゲナイド上への原子層堆積

〇(M1)田原 匠陽¹、上野 啓司²、野内 亮^1,3 (1.大阪公立大工、2.埼玉大理工、3.JSTさきがけ)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド,原子層堆積,自然酸化膜

代表的二次元物質であるMoS₂上への原子層堆積法（ALD）による均一な極薄絶縁膜の成膜には、事前の表面酸化処理が有効である。酸化処理により表面にOH基が導入され、ALD前駆体の吸着エネルギーが向上する。自然酸化膜を形成するTaS₂の場合は、酸化処理を行わずとも均一な成膜が可能と分かった。これは、自然酸化する二次元物質であれば、酸化処理による表面損傷を気にせずALD可能であることを意味している。