講演情報
[23a-A202-5]共鳴トンネル効果を用いたWSe2/MoS2ヘテロ二層構造の価電子帯Γ点バンドの検出
〇川崎 盛矢1、木下 圭1、小野寺 桃子1、守谷 頼1、張 奕勁1、増渕 覚1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、笹川 崇男3、町田 友樹1 (1.東大生研、2.物材機構、3.東工大フロンティア研)
キーワード：
ヘテロ二層,TMD,共鳴トンネル
単層WSe2と単層MoS2のヘテロ二層（HBL）構造を含んだファンデルワールストンネル接合を作製し、共鳴トンネル電流を測定することでHBLのバンド構造を調べた。ソース側のp+-MoS2からドレイン側のHBLへΓ点ホールをトンネルさせると、HBLの価電子帯Γ点バンドへの共鳴トンネルに対応した複数の電流ピークを観測した。これらのピークはドレイン側を単層WSe2とした場合とは異なる位置に生じており、HBLは単層WSe2とは違ったバンドを有していることが示唆された。