講演情報
[23a-A305-11]六方晶窒化ホウ素（h-BN）をシード層としたBaSnO3薄膜の作製
〇高島 浩1、稲熊 宜之2、長尾 昌善1、村上 勝久1 (1.産総研、2.学習院大理)
キーワード：
近赤外発光,六方晶窒化ホウ素,BaSnO3薄膜
近年、近赤外発光を示すバルク体BaSnO3が報告された。我々は近赤外発光の応用として太陽電池の発電効率を向上させる波長変換デバイスに着目し、単結晶SrTiO3(001)基板上へBaSnO3薄膜を成膜し、優れた結晶性と発光特性を得ることに成功した。透明性やラージスケール化を実現するためには合成石英基板の利用が求められるが、一般的に非晶質な合成石英基板上へのペロブスカイト型酸化物の直接成膜では、優れた結晶性は得られず、その機能は得られない。本研究では、シード層として膜厚10nm前後の六方晶窒化ホウ素（h-BN）を合成石英基板上に成膜し、その上部にBaSnO3を成膜することで、優れた結晶性薄膜を得ることに成功したので報告する。