講演情報
[23a-A307-4]Sr1-xLaxVO3量子井戸の金属絶縁体転移
〇高橋 圭1、井口 純太2、十倉 好紀1,2,3、川﨑 雅司1,2 (1.理研 CEMS、2.東大院工、3.東大東京カレッジ)
キーワード：
モット絶縁体,金属絶縁体転移,分子線エピタキシー
我々はこれまでに、厚さ3 unit cells (u.c.)以下のSrVO3量子井戸がモット絶縁体に転移すること、またその二次元モット絶縁体に電子ドープし金属転移が可能であることを報告してきた。本研究では、様々な膜厚（2～5 u.c.）のSr1-xLaxVO3量子井戸の相図を明らかにし、異なる基板上の量子井戸との比較により量子井戸の膜厚とエピタキシャル歪みがモット絶縁体相の安定性に与える影響を調べた。