[23a-A311-1~10] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

9:00 〜 9:15

[23a-A311-1] 光熱偏向分光法によるSb-Te薄膜のギャップ内準位評価

〇後藤 民浩¹、澤田 航¹、飯田 碧¹ (1.群馬大理工)

キーワード：

相変化メモリ,カルコゲナイド半導体,光熱偏向分光法

相変化メモリ材料であるGe₂Sb₂Te₅薄膜において、欠陥や構造無秩序性に起因するギャップ内準位には未だ不明な点が残されている。Ge-Sb-Te系材料のギャップ内準位の理解には、構成要素であるSb-Teのギャップ内準位の調査が不可欠である。そこで、Sb_0.34Te_0.66薄膜のサブギャップ吸収を測定し、Ge₂Sb₂Te₅薄膜と比較することでギャップ内準位の形成メカニズムを検討する。