[23a-A311-1~10] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

9:15 〜 9:30

[23a-A311-2] Sn-Se蒸着膜の光学的・電気的性質

〇(M2)飯田 碧¹、多胡 秀斗¹、後藤 民浩¹ (1.群馬大理工)

キーワード：

カルコゲナイド半導体,相変化メモリ,真空蒸着

相変化メモリを構成するメモリ素子やセレクタ素子には、Ge-Sb-Te系やGe-Si-As-Te系などのカルコゲナイド材料が使われている。これらを二元系材料にすることができれば、より簡単に組成制御が可能になり、信頼性の向上につながると考えられる。このような背景から、我々はSn-Se系化合物に着目した。真空蒸着によりSn-Se薄膜を作製し、熱処理による光学バンドギャップと電気抵抗率の変化を調べた。結果を基に、応用可能性について検討する。