講演情報

10:00 〜 10:15

[23a-A311-5]Cr₂Ge₂Te₆におけるTHz電場誘起ナノスケール相変化

〇金唐逸¹、河路瑞生¹、玉置亮¹、草場哲¹、王吟麗²、双逸³、須藤祐司^2,3、片山郁文¹、武田淳¹ (1.横浜国大院理工、2.東北大工、3.東北大材料科学高等研究所)

相変化メモリ,カルコゲナイド薄膜,走査型トンネル顕微鏡