講演情報
[23a-A311-7]Ag-Ge-Te系CBRAM におけるバイポーラ抵抗スイッチングの1次元モデル
〇殷 ユウヒ1、塚本 慶人1、林 等1、中岡 俊裕1 (1.上智大)
キーワード：
COMSOL Multiphysics,Electrodeposition multiphysics module,Ag-Ge-Te系
導電性フィラメントの成長、切断により抵抗スイッチするCBRAMは次世代不揮発メモリのみならず、ニューロモルフィックコンピューティング、リザバーコンピューティングを担う素子として注目されている。我々はRF波入力可能なAg-Ge-Te系CBRAMを作成し，RF波によるCBRAMの特性変化を報告してきた。RF波の周波数依存性はイオンダイナミクスの重要性を示唆している[1]。本研究では，Ag-Ge-Te系CBRAMの設計、解析を行うためのイオンダイナミクスを含む1次元計算モデルを構築し、バイポーラ抵抗スイッチングを再現したので報告する。