[23a-B205-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

9:00 〜 9:15

[23a-B205-1] BaSi₂ダブルヘテロ接合における接合界面の化学的安定性の検証

〇原 康祐¹、有元 圭介¹ (1.山梨大クリスタル研)

キーワード：

太陽電池,ヘテロ接合,シリサイド半導体

BaS/BaSi₂/Sm₂O₃ダブルヘテロ接合構造は、理論上、適切なバンドアライメントによる30％以上の高い光電変換効率と、化学的に安定な接合界面、格子整合が期待できる。本研究では、BaS/BaSi₂積層構造とBaSi₂/Sm₂O₃積層構造を作製し、接合の化学的安定性を検証することを目的とした。700 ℃以上の高温での試料作製にもかかわらず、目的層以外の生成は見られず、化学反応を起こさずに接合を形成可能であることを検証できた。