セッション詳細

[23a-B205-1~11]13.2 探索的材料物性・基礎物性

2023年9月23日(土) 9:00 〜 12:00
B205 (市民会館)
鵜殿 治彦(茨城大)、 山口 憲司(量研機構)、 久米 徹二(岐阜大)

[23a-B205-1]BaSi2ダブルヘテロ接合における接合界面の化学的安定性の検証

〇原 康祐1、有元 圭介1 (1.山梨大クリスタル研)

[23a-B205-2]BaSi2ヘテロ型太陽電池におけるNiOホール輸送層の最適化

〇竹中 晴紀1、Du Rui1、佐藤 匠1、梶原 君円1、幸田 陽一朗2、召田 雅実2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

[23a-B205-3]Zn1–xGexOy界面層の作製と p-BaSi2太陽電池への応用

〇高柳 香織1、青貫 翔1、岩井 藍1、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学)

[23a-B205-4]スパッタ法によるB-ion-implanted p-BaSi2膜の伝導型制御

〇佐藤 匠1、竹中 晴紀1、Du Rui1、梶原 君円1、幸田 陽一朗2、召田 雅実2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

[23a-B205-5]ポストアニール条件とBaSi2膜の特性変化の関係

〇岩井 藍1、青貫 翔1、髙柳 香織1、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学)

[23a-B205-6]SrSi2の物性評価

〇今井 基晴1、Alinejad Babak2、鵜殿 治彦2 (1.NIMS、2.茨城大)

[23a-B205-7]AgBa2Si3の熱電応用に向けた第一原理計算による伝導型制御の検討

〇梶原 君円1、石山 隆光1、青貫 翔1、都甲 薫1、幸田 陽一朗2、召田 雅実2、本多 周太3、末益 崇1 (1.筑波大院、2.東ソー株式会社、3.関西大学)

[23a-B205-8]シリコンの電子バレー分極及び正孔異方分布による室温異方伝導ダイナミクス

〇(M2)白井 亜美1、室谷 悠太1、藤本 知宏1、神田 夏輝1,2、松永 隆佑1 (1.東大物性研、2.理研光量子セ)

[23a-B205-9]電子線照射とその後の回復熱処理によって形成されたSi中深い準位の非発光再結合信号

〇原口 佑斗1、矢田部 龍彦1、碇 哲雄1、福山 敦彦1、佐々木 駿2、佐俣 秀一2、三次 伯知2 (1.宮崎大工、2.株式会社 SUMCO)

[23a-B205-10]MBE法によるトポロジカル絶縁体Bi2Se3上へのCdSe成長

〇小田部 龍哉1、近藤 智祐1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)

[23a-B205-11]スパッタ堆積法によるSi基板上へのMnSi1.75-x膜の作製

〇久保田 啓聖1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大)