講演情報
[23p-A202-10]走査型非線形誘電率顕微鏡による機械剥離単層MoS2の局所CV特性測定
〇(M1)石塚 太陽1,2、山末 耕平2 (1.東北大院工、2.東北大通研)
キーワード：
層状半導体,走査型非線形誘電率顕微鏡,局所CV特性測定
走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を拡張した時間分解SNDMによる局所CV特性測定を原子層半導体である二硫化モリブデン(MoS2)に適用した．単層と多層のMoS2の局所CV特性を測定して比較したところ，単層は局所CV特性が電圧負方向にシフトし，静電容量変化が小さいことが確認できた．以上より，SNDMを用いた局所CV特性測定によって原子層半導体の微視的な物性を評価できる可能性があるといえる．