[23p-A202-1~11] 17.3 層状物質

16:15 〜 16:30

[23p-A202-11] 菱面体硫化ホウ素のキャリア特性解析

〇(M2)渡邉 範陳¹、宮﨑 啓介²、豊田 雅之²、武安 光太郎¹、辻井 直人³、日下 陽貴¹、山本 明保⁴、斎藤 晋²、宮川 仁³、谷口 尚³、相澤 俊³、森 孝雄³、宮内 雅浩²、近藤 剛弘^1,5 (1.筑波大、2.東工大、3.NIMS、4.東京農工大、5.東北大 AIMR)

キーワード：

二次元層状物質,非金属材料,ホウ素化合物

菱面体硫化ホウ素 (r-BS)はホウ素と硫黄で構成される非金属の層状物質であるが、現状r-BSが半導体としてどのような性質を示すかは実験的に明らかとなっていない。本研究の目的はr-BSを合成し、そのキャリア特性の評価を行うことである。ゼーベック係数の測定や光電流を用いた電気化学測定の結果、r-BSは正孔をキャリアとするp型半導体であることが明らかになった。