講演情報
[23p-A301-5]光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたプラズマプロセス中のシリコンウェハ表面温度のリアルタイム測定
〇後藤 隆之介1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大先進理工)
キーワード：
シリコン,温度測定,プラズマ
プラズマプロセスにおいて, ウェハ表面温度をリアルタイムで測定することが工程管理上大変重要である. 我々はこれまでにウェハに裏面からレーザを照射し, ウェハの温度変化に伴いその反射光が干渉することを原理とした光学干渉非接触温度測定法(Optical-Interference Contactless Thermometry : OICT) を開発してきた. さらに干渉波形からウェハ表面温度を直接求める高速温度解析プログラムを作成し, 解析時間を数時間から 1 秒以内に短縮できることを報告した. しかしウェハ表面から裏面にかけて温度勾配がある場合, 正確に表面温度を再現できない課題がある. 本研究では, 波形から特徴量を抽出しその特徴と合致する条件をデータベース内から参照することで, 温度勾配が生じる加熱条件下においてもウェハ表面温度を高速かつ正確に解析するプログラムを開発した.