講演情報
[23p-A303-2]High-k HfO2/SiO2/Siスタック作製工程における欠陥の発生と修復
〇布村 正太1、太田 裕之1、入沢 寿史1、遠藤 和彦1、森田 行則1 (1.産総研)
キーワード：
ゲート絶縁膜,欠陥,キャリアライフタイム
先端ロジックにおいて、高誘電率絶縁体スタック（high-k HfO2/SiO2/Si）内の欠陥は、デバイス特性および信頼性の低下を招く。そのため、スタック内の欠陥（格子欠陥、ダングリングボンドや不純物等）の発生と修復のメカニズムを理解し、これらの欠陥を低減するプロセス開発を進めることが重要である。通常、欠陥は、デバイス作製後に、電流-電圧特性や容量-電圧特性を通して評価されるが、評価がデバイス作製後に限定されるため、各工程における欠陥の発生と修復の詳細は理解されていない。そこで、今回、high-k HfO2/SiO2/Siスタックの各作製工程における欠陥を、下地Siウエハのキャリアのライフタイム測定を通して評価したので報告する。