2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.3 絶縁膜技術

[23p-A303-1~8]13.3 絶縁膜技術

2023年9月23日(土) 13:30 〜 15:30
A303 (熊本城ホール)
山本 圭介(九大)
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13:30 〜 13:45

[23p-A303-1]Metal/Al2O3/SnOx/SiO2/Si MOS構造における界面ダイポール変調の確認

〇桐原 芳治1、伊藤 俊一1、保井 晃2、石川 亮佑1、野平 博司1 (1.都市大、2.高輝度光科学研究センター)
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13:45 〜 14:00

[23p-A303-2]High-k HfO2/SiO2/Siスタック作製工程における欠陥の発生と修復

〇布村 正太1、太田 裕之1、入沢 寿史1、遠藤 和彦1、森田 行則1 (1.産総研)
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14:00 〜 14:15

[23p-A303-3]Zr/Hf多重積層構造の後酸化および電極形成後熱処理がHfZr酸化物の結晶構造に与える影響

〇(M2)佐野 友之輔1、田岡 紀之2、大田 晃生3、牧原 克典1、宮﨑 誠一1 (1.名大院工、2.愛工大、3.福岡大)
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14:15 〜 14:30

[23p-A303-4]アニール処理によるGeO2膜の検証

〇土屋 雄太1、斉藤 基1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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14:30 〜 14:45

[23p-A303-5]2段階酸化によるGeO2膜の作製と評価

〇斉藤 基1、土屋 雄太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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14:45 〜 15:00

[23p-A303-6]Cu-PMA法のアニール時間変化によるGeO₂/Ge界面特性の変化

〇菅野 航太1、内田 遥太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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15:00 〜 15:15

[23p-A303-7]Ge基盤の溶液酸化についての検証

〇清水 玄1、土屋 雄太1、原田 星輝1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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15:15 〜 15:30

[23p-A303-8]GeO2膜の耐水性についての検証

〇(M1)石塚 啓太1、鈴木 拓光1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
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