講演情報
[23p-A306-4]InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスに向けたZnCdSe/MgZnSeTeダブルヘテロ構造の作製と評価
〇小沼 遼1、梅田 恒1、銭 増一1、鈴木 優太1、張 健一1、野村 一郎1 (1.上智大理工)
キーワード：
II-VI族半導体
InP基板Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスの開発に向け、ZnCdSe/MgZnSeTeダブルヘテロ構造をMBE法により作製し評価した。ZnCdSe層の成長温度を280℃とし、MgZnSeTe層の成長温度を280℃及び300℃とした2種類の試料を作製した。試料の室温PL測定より、300℃で成長した試料のMgZnSeTe層及びZnCdSe層何れからの発光強度も280℃と比べ強く、優れた発光特性が得られた。