[23p-A602-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

13:45 〜 14:00

[23p-A602-5] Al₂O₃パッシベーションによるGeマイクロブリッジからの発光強度増大

〇井上 貴裕¹、小田島 綾華¹、長尾 優希¹、居藤 智鷹¹、吉川 修¹、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大学)

キーワード：

Ge,半導体,マイクロブリッジ