セッション詳細

[23p-A602-1~16]15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

2023年9月23日(土) 12:45 〜 17:00
A602 (熊本城ホール)
佐道 泰造(九大)、 松村 亮(物材機構)

[23p-A602-1]PL法及びXPSによる単結晶Si1-xSnxのバンド構造評価

〇石崎 寛規1、横川 凌1,2、伊藤 佑太1、大岩 樹3、黒澤 昌志3、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.名大院工)

[23p-A602-2]PL法及びラマン分光法による3次元自己組織化多層SiGeナノドットの評価(Ⅱ)

〇伊藤 佑太1、横川 凌1,2、Wen Wei-Chen3、山本 裕司3、箕輪 卓哉1、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.IHP)

[23p-A602-3]歪みSiGeスピントロニクスデバイスにおける局所歪み分布解析

〇(M1)尾鍋 友毅1、武 振東1、藤平 哲也1、林 侑介1,2、隅谷 和嗣3、今井 康彦3、木村 滋3、内藤 貴大1、浜屋 宏平1,2、酒井 朗1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRIスピン、3.JASRI)

[23p-A602-4]In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの広帯域光応答検出

〇石井 寛仁1,2、張 文馨2、石井 裕之2、鯉田 崇2、藤代 博記1、前田 辰郎1,2 (1.東理大、2.産総研)

[23p-A602-5]Al2O3パッシベーションによるGeマイクロブリッジからの発光強度増大

〇井上 貴裕1、小田島 綾華1、長尾 優希1、居藤 智鷹1、吉川 修1、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学)

[23p-A602-6]Ge-on-Si(111)上の歪みSiGe/Ge多重量子井戸形成における臨界膜厚の増加とクラック発生の抑制

〇金澤 伶奈1、菊岡 柊也1、芝原 夕夏1、我妻 勇哉1、山田 道洋3,4,5、浜屋 宏平2,3,5、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学、2.阪大基礎工、3.阪大CSRN、4.JST さきがけ、5.阪大 OTRI)

[23p-A602-7]Ge epitaxial layer grown on V-groove patterned Si substrate

〇(D)FAIZ FAIZ MOHD1, Jose A. Piedra-Lorenzana1, Keisuke Yamane1, Takeshi Hizawa1, Tetsuya Nakai2, Yasuhiko Ishikawa1 (1.Toyohashi Uni of Tech, 2.SUMCO)

[23p-A602-8]パターニングを施した Si(111)上への歪み SiGe/Ge の作製と評価

〇長尾 優希1、我妻 勇哉1、井上 貴裕1、小田島 綾華1、芝原 夕夏1、山田 道洋2,3、浜屋 宏平2,4,5、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学、2.阪大基礎工 CSRN、3.JST さきがけ、4.阪大 OTRI、5.阪大基礎工)

[23p-A602-9]歪みSi/SiGe/Si(110)MOS構造の界面準位密度の評価

〇青沼 雄基1、藤澤 泰輔1、堀内 未希1、吉川 満希1、山中 淳二1、原 康祐1、中川 清和2、有元 圭介1 (1.山梨大、2.東京都市大)

[23p-A602-10]歪み Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造への in-situ Sb ドーピングプロセスの検討

〇河村 剛登1、原 康祐1、山中 淳二1、中川 清和2、有元 圭介1 (1.山梨大、2.東京都市大)

[23p-A602-11]極薄膜GOI pMOSFETに印加される異方性二軸応力のチャネル方向依存性

〇横川 凌1,2、前田 唯葉1、寿川 尚1、Chen Chia-Tsong3、Toprasertpong Kasidit3、竹中 充3、高木 信一3、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.東大院工)

[23p-A602-12]極薄膜(100)SGOI p-MOSFETのチャネル領域における異方性二軸応力のチャネル幅依存性

〇前田 唯葉1、横川 凌1,2、寿川 尚1、Chia-Tsong Chen3、Kasidit Toprasertpong3、竹中 充3、高木 信一3、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.東大院工)

[23p-A602-13]遺伝的アルゴリズムを利用したSiGe混晶の安定構造探索とバンド構造解析

〇別宮 響1、野田 祐輔2、末岡 浩治2 (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工)

[23p-A602-14]Al/Si0.2Ge0.8(111)上に偏析したSiおよびGeの光電子分光分析

〇(M2)酒井 大希1、大田 晃生2、田岡 紀之3、牧原 牧原1、山本 裕司4、宮﨑 誠一1 (1.名大院工、2.福岡大理、3.愛工大、4.IHP)

[23p-A602-15]SiO2上へのNiシリサイドナノシート形成におけるH2O2溶液処理の効果

〇木村 圭佑1、田岡 紀之2、大田 晃生3、牧原 克典1、宮﨑 誠一1 (1.名大院工、2.愛工大、3.福岡大理)

[23p-A602-16]高い正孔移動度を持つゲルマナン薄膜の成膜条件最適化

〇片山 裕美子1、小林 大輝1、安武 裕輔1、深津 晋1、上野 和紀1 (1.東大院総合)