GaAsSb/InGaAsトンネルFET(TEFT)が、平面型のチャネルと合わせる場合には、横方向のヘテロ接合を選択的な再成長によって作製されなければならない。TFETの場合、高濃度ドープのp型ソースが大電流に必要だが、高濃度を実現するには、低温での成長が必要である。しかし、成長温度が低い場合、選択的な成長が困難となる。本報告では再成長時のSiO₂マスクを再成長GaAsSbより厚くした場合、SiO₂マスク上の単結晶と多結晶の連結を防止できることを報告する。多結晶を除去した後、トランジスタの動作を実現できた。