セッション詳細
[23p-B201-2]Ni/β-Ga2O3ショットキー接合の障壁高さの温度依存性の評価における熱電子放出-拡散モデルに基づく解析の重要性
〇棟方 晟啓1、佐々木 公平2、江間 研太郎2、中野 義昭1、前田 拓也1 (1.東大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
[23p-B201-3]縦型Ga2O3フィールドプレートショットキーバリアダイオードの研究
〇湯田 洋平1、海老原 洪平1、南條 拓真1、古橋 壮之1、綿引 達郎1、西川 和康1 (1.三菱電機)
[23p-B201-4]ダイヤモンドNO2 p型ドープMOSFETの長時間(100h)ACストレス測定
〇白土 智基1、サハ ニロイ チャンドラ1、大石 敏之1、嘉数 誠1 (1.佐賀大院工)
[23p-B201-5]厚いSiO2マスクを用いた再成長によるGaAsSb/InGaAsトンネルFETの実現
許 瑞豊1、〇(M2)范 珈偉1、荒井 昌和2、宮本 恭幸1 (1.東工大、2.宮崎大)