2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23p-B201-1~5]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年9月23日(土) 13:30 〜 14:45
B201 (市民会館)
牧山 剛三(住友電工)
13:30 〜 13:45

[23p-B201-1]SiO2/β-Ga2O3界面形成条件が与えるβ-Ga2O3表面近傍の酸素欠損量の違いの検討

〇片桐 浩生1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[23p-B201-2]Ni/β-Ga2O3ショットキー接合の障壁高さの温度依存性の評価における熱電子放出-拡散モデルに基づく解析の重要性

〇棟方 晟啓1、佐々木 公平2、江間 研太郎2、中野 義昭1、前田 拓也1 (1.東大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
14:00 〜 14:15

[23p-B201-3]縦型Ga2O3フィールドプレートショットキーバリアダイオードの研究

〇湯田 洋平1、海老原 洪平1、南條 拓真1、古橋 壮之1、綿引 達郎1、西川 和康1 (1.三菱電機)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[23p-B201-4]ダイヤモンドNO2 p型ドープMOSFETの長時間(100h)ACストレス測定

〇白土 智基1、サハ ニロイ チャンドラ1、大石 敏之1、嘉数 誠1 (1.佐賀大院工)
14:30 〜 14:45

[23p-B201-5]厚いSiO2マスクを用いた再成長によるGaAsSb/InGaAsトンネルFETの実現

許 瑞豊1、〇(M2)范 珈偉1、荒井 昌和2、宮本 恭幸1 (1.東工大、2.宮崎大)
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