セッション詳細

[20a-A306-1~8]17.2 グラフェン

2023年9月20日(水) 9:15 〜 11:30
A306 (熊本城ホール)
山田 貴壽(産総研)

[20a-A306-1]SiCバッファー層上への転写グラフェンの構造及びラマン特性

〇(M2)田嶋 哲平1、今村 均1、ビシコフスキー アントン1、田中 悟1 (1.九大院工)

[20a-A306-2]ナノインデンテーション法を用いた1次元周期歪みグラフェンの作製

〇吉武 一彦1、ビシコフスキー アントン1、田中 悟1 (1.九大院工)

[20a-A306-3]微傾斜SiC(0001)上の転写グラフェンの歪み状態

〇奥田 茉央1、ビシコフスキー アントン1、増野谷 拓実2、近藤 さらな2、神田 晶申2、田中 悟1 (1.九大院工、2.筑波大数)

[20a-A306-4]グラフェンのひずみ可変デバイスの作製

〇増野谷 拓実1、近藤 さらな1、友利 ひかり1、林 正彦2、神田 晶申1 (1.筑波大数理物質、2.秋田大教育文化)

[20a-A306-5]湾曲したグラフェンカンチレバーの磁場印加により誘起される電流分布

〇(M2)前渕 一徳1、盛谷 浩右1、乾 徳夫1 (1.兵県大工)

[20a-A306-6]Large-angleツイスト二層グラフェンの量子ホール効果

〇辻 悠基1、瀬尾 優太1、守谷 頼1、増渕 覚1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、町田 友樹1 (1.東大生研、2.物材機構)

[20a-A306-7]乱層積層グラフェンの可視ー中赤外域での光吸収に対するフェルミ準位制御の影響

〇水野 琢央1、池田 匠吾1、菊堂 裕己1、井ノ上 泰輝1、仁科 勇太2、小林 慶裕1 (1.阪大院工、2.岡山大)

[20a-A306-8]Geometric structure of graphene thin films under an external electric field

〇(D)Nadia Sultana1, Yanlin Gao1, Mina Maruyama1, Susumu Okada1 (1.Univ. Tsukuba)