セッション詳細
[21p-P20-1~4]3.12 半導体光デバイス（旧3.13）
2023年9月21日(木) 16:00 〜 18:00
P20 (熊本城ホール)
[21p-P20-1]光共振器を介した相互注入同期半導体レーザの周波数ノイズ特性
〇横田 信英1、八坂 洋1 (1.東北大通研)
[21p-P20-2]HR コーティングによる 1550nm 帯量子ドットレーザの温度特性改善
〇矢吹 諒太1、松本 敦2、赤羽 浩一2、へインサル シーム1、松島 裕一1、石川 浩1、宇髙 勝之1 (1.早大理工、2.NICT)
[21p-P20-3]CaF2/ Si ヘテロ構造を用いた近赤外波長量子カスケードレーザの低電界化に向けた構造提案
〇杉山 裕汰1、鈴木 飛雄馬1、范 志遠1、渡辺 正裕1 (1.東工大工学院)
[21p-P20-4]ダブルヘテロ接合BaSi2太陽電池の電極材料の候補選定
〇矢崎 智昌1、有元 圭介1、山中 淳二1、原 康祐1 (1.山梨大クリスタル研)