講演情報
[10a-N401-4]Si熱酸化膜/Si界面の原子構造に関する考察
〇影島 博之1、Seo Insung1、秋山 亨2、白石 賢二3 (1.島根大、2.三重大、3.東北大)
キーワード：
Si酸化、界面構造、第一原理計算
Si熱酸化膜/Si界面構造に対して、従来quartz/Si界面モデルを我々は用いてきたが、今回より広範囲の特徴を反映した新しい界面モデルを提案する。この界面モデルは、Si放出を伴うと考えられるSi熱酸化膜の成長過程を考慮しているだけでなく、理論や実験で判明している界面高密度酸化膜層の存在とその原子構造、およびSi熱酸化膜の平均的な密度や構造に関する知見とも矛盾がない。しかも、界面欠陥の原因となるダングリングボンドが全く存在しないことから、単純だが界面構造のより広範囲の平均的な特徴を全て正確に反映している。