2025年第86回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.3 絶縁膜技術

[10a-N401-1~9]13.3 絶縁膜技術

2025年9月10日(水) 9:00 〜 11:15
N401 (共通講義棟北)
三谷 祐一郎(都市大)
SiO2, High-k ゲート絶縁膜
9:00 〜 9:15

[10a-N401-1]異種面方位Si基板上へのゲート絶縁膜形成に関する検討

〇森田 行友1、鶴口 正士1、早川 兼2、須藤 治生2、泉妻 宏治2、大見 俊一郎1 (1.科学大工、2.GWJ（株）)
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9:15 〜 9:30

[10a-N401-2]Si(100)表面の熱酸化膜の真性応力と格子間Si放出

〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[10a-N401-3]Si(111)酸化におけるLinear-Parabolic growth開始遅れの物理的意味

〇(M1)Wen Hengyu1、津田 泰孝2、岡部 優希1、吉越 章隆2、高桑 雄二3、小川 修一1 (1.日本大学、2.原子力機構、3.東北大学)
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9:45 〜 10:00

[10a-N401-4]Si熱酸化膜/Si界面の原子構造に関する考察

〇影島 博之1、Seo Insung1、秋山 亨2、白石 賢二3 (1.島根大、2.三重大、3.東北大)
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10:00 〜 10:15

[10a-N401-5]GeとSiの酸化機構の違いから見たSiO2膜の信頼性の考え方

〇鳥海 明1 (1.自由業)
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10:15 〜 10:30

[10a-N401-6]表面ポテンシャル揺らぎが高周波CV法による界面準位評価に与える影響

〇高木 信一1、トープラサートポン カシディット2 (1.帝京大・先端研、2.東大院・工)
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10:30 〜 10:45

[10a-N401-7]Si(110)微傾斜基板上のHfO2/Si MOS界面特性の評価

〇志村 瞭太朗1、名幸 瑛心1、松本 光二2、鈴木 陽洋2、山本 博昭2、松川 和人2、竹中 充1、高木 信一1、ﾄｰﾌﾟﾗｻｰﾄﾎﾟﾝ ｶｼﾃﾞｨｯﾄ1 (1.東大院工、2.株式会社SUMCO)
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10:45 〜 11:00

[10a-N401-8]低温スパッタHfO2を使ったMOSCAPの絶縁/界面特性

〇(M1)高木 駿翼1、吉田 俊幸1、葉 文昌1 (1.島根大)
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11:00 〜 11:15

[10a-N401-9]ハフニア強誘電体薄膜の分極電荷による界面ダイポール層の変化：分子動力学シミュレーションによる解析

〇渡邉 孝信1、大場 淳平1、山本 宙1、西村 祐亮1 (1.早大理工)
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