講演情報
[10a-P01-32]電子線描画ナノ光源のEELS特性解析
〇(B)平井 寛大1、藤丸 朋泰2、稲又 雅人2、田中 宏武2、池内 みどり3、山下 英博3、井原 史朗3、村山 光宏3,4、斉藤 光3 (1.九大工、2.九大総理工、3.九大先導研、4.バージニア工科大)
キーワード：
ナノ光源、電子線描画、ハライドペロブスカイト
本研究は，Cs4PbBr6/CsPbBr3コンポジットへの大電流電子線の照射(強照射)による発光効率上昇のメカニズムの解明を目的とした．熱処理により分相させた試料のCs4PbBr6結晶粒にのみ強照射を行い，EELSで解析した．その結果CsPbBr3結晶が生成され，大きさが約42 nmであると算出された．これにより，Cs4PbBr6領域に数10 nmスケールの光源を任意の場所に生成できるとわかった．