講演情報
[10a-P04-9]セシウム蒸着したMgドープInGaNの熱電子放出特性とその温度依存性
〇田代 承太郎1、木村 重哉2、宮崎 久生2、荻野 明久1 (1.静大院工、2.(株) 東芝 総合研究所)
キーワード：
窒化インジウムガリウム、熱電子放出
InGaNは可視光にまたがるバンドギャップを有し、光吸収率も高いことから、光応用デバイスなどの応用が期待されている。近年、p-InGaNの開発が進み良質化した結果、これまで困難であった電子放出デバイスや熱電子発電への応用が検討され始めた。熱電子発電への応用では電子エミッタの温度依存性が重要であり、本研究では、Mgをドープしたp型InGaN表面へCsを蒸着して電子放出特性の向上を図るとともに、熱電子発電デバイス応用における動作温度低減について検討した。