セッション詳細
[10a-P04-1~22]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
2025年9月10日(水) 9:30 〜 11:30
P04 (体育館)
[10a-P04-1]パワーデバイス高耐熱実装に向けたNiナノ粒子焼結接合材の研究
〇小柴 佳子1、巽 宏平2 (1.神奈川産技総研、2.早大)
[10a-P04-2]ガンマ線照射による4H-SiC JFETのリーク電流増加
〇武山 昭憲1、牧野 高紘1、黒木 伸一郎2、田中 保宣3、大島 武1 (1.量研、2.広島大RISE、3.産総研)
[10a-P04-3]ラマン分光法によるSiC-SBDにおけるSiC/SiO2界面の高温電子物性解析
〇石田 秀1、清住 竜也1、須田 潤1 (1.中京大工)
[10a-P04-4]n-SiC MOSFETのCharge Pumping電流における幾何学的形状成分のTCAD及び実験的解析
〇木全 健太1、志村 一眞1、岡本 大1、染谷 満2、平井 悠久2、岡本 光央2、畠山 哲夫1 (1.富山県立大、2.産総研)
[10a-P04-5]pチャネルSiC MOSFETのCharge Pumping電流におけるGeometric ComponentのTCADおよび実験的解析
〇(M2)志村 一眞1、岡本 大1、田口 雄大1、木全 健太1、染谷 満2、平井 悠久2、岡本 光央2、畠山 哲夫1 (1.富山県立大、2.産総研)
[10a-P04-6]4H-SiC/SiO2界面の構造安定性およびバンド配列の理論解析:
NOアニーリングの影響
〇伊勢 直斗1、秋山 亨1、畠山 哲夫2、白石 賢二3、中山 隆史4 (1.三重大院工、2.富山県立大工、3.東北大CIES、4.千葉大理)
[10a-P04-7]空気をラジカル源としたSiCの近接場光エッチングの原理実証
〇吉松 澪央1、吉田 恭平2、永岡 昭二2,3、高藤 誠1 (1.熊本大院先端、2.熊本県産技セ、3.熊本大学 熊本創生推進機構)
[10a-P04-8]顕微ラマン分光による曲げ応力を印加したGaN基板の応力分布評価
〇松下 広大1、松田 拓大1、須田 潤1 (1.中京大工)
[10a-P04-9]セシウム蒸着したMgドープInGaNの熱電子放出特性とその温度依存性
〇田代 承太郎1、木村 重哉2、宮崎 久生2、荻野 明久1 (1.静大院工、2.(株) 東芝 総合研究所)
[10a-P04-10]ラマン分光法による応力負荷されたGaN基板の電子物性解析
〇松田 拓大1、松下 広大1、須田 潤1 (1.中京大工)
[10a-P04-11]多元系III族窒化物による分極整合エピタキシャル構造を用いた
共鳴トンネルダイオードの検討(2)
〇(M1)今泉 輝1、間瀬 晃1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
[10a-P04-12]窒化物成長に向けたSi(111)/Diamondテンプレート基板の作製
〇(M1C)岩本 晃1、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大工)
[10a-P04-13]電気化学インピーダンス分光法による n-GaN プロセス面の評価
〇嶋崎 喬大1、髙橋 円空1、赤澤 怜明1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)
[10a-P04-14]表面活性化接合を用いたダイヤモンド基板上GaNメサ構造の絶縁特性
〇砂本 陽成1、末光 哲也2、重川 直輝1、梁 剣波1 (1.大阪公大工、2.東北大)
[10a-P04-15]光電気化学エッチングと850℃アニールを組み合わせたp-GaN MOS界面の制御の試み
〇高橋 尚伸1、嶋崎 喬大1、佐藤 威友1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
[10a-P04-16]Mgイオン注入GaNに対する活性化熱処理前の850℃熱処理の効果についてのMOS構造を用いた評価
〇唐沢 陽向1、高橋 尚伸1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)
[10a-P04-17]GaN系HBTに向けたp型GaInN/GaN MQW構造の電気特性評価
〇井上 諒星1、石田 颯汰朗1、間瀬 晃1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
[10a-P04-18]電気化学測定法によるud-AlGaN/n-GaN構造の電気的評価
〇高橋 円空1、嶋﨑 喬大1、赤澤 怜明1、熊倉 一英1、谷保 芳孝2、佐藤 威友1 (1.北大量集センター、2.NTT物性科学基礎研究所)
[10a-P04-19]CL-PECエッチングにより形成したリセスゲートAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタの電気的特性
〇勝又 十勝1、塩澤 直生1、岡野 陽樹1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)
[10a-P04-20]ミストCVD法によるGaN系MISデバイス向けAl1−xTixOyゲート絶縁膜の作製と堆積メカニズムの解明
〇大竹 浩史1、中村 有水1、谷田部 然治1 (1.熊本大)
[10a-P04-21]GaN表面酸化に向けたミスト熱酸化プロセス
〇濵砂 涼介1、Soe Thin Nu1、平倉 拓海1、中村 有水1、谷田部 然治1 (1.熊本大)
[10a-P04-22]ミストエッチングに向けたGaN表面のミスト熱酸化
〇平倉 拓海1、Soe Thin Nu1、濵砂 涼介1、中村 有水1、谷田部 然治1 (1.熊本大)