講演情報
[10p-N304-1]3次元アトムプローブ法による電圧誘起劣化したシリコン太陽電池中のナトリウム分布の評価
〇大野 裕1、井上 耕治1、秦 禕明2、上杉 文彦3、後藤 和泰2,4、増田 淳2,4 (1.東北大金研、2.新潟大工、3.NIMS、4.新潟大 IRCNT)
キーワード:
電圧誘起劣化、シリコン太陽電池、ナトリウム不純物
Si太陽電池モジュールに対し電圧誘起劣化(PID)の加速実験を行い、SEM-FIB加工法でSiN反射防止膜とSi太陽電池セルを含んだ針状試料を切り出し、3次元アトムプローブ法でNa不純物の空間分布を調べた。厚み約100nmのSiN膜直下(SiN/Si界面)に高濃度のNaが集積し、SiN/Si界面から深くなるほど濃度が低くなり、pn接合のある100nm近傍まで検知されることが観察された。