講演情報
[7a-N105-5]低温における高不純物濃度シリコン熱伝導率の3ω法による測定
〇(M1)渡邉 一輝1、吉永 啓人1、豊島 遼1、内田 建1 (1.東大工)
キーワード：
半導体、熱伝導率、低温
増大するデータセンターでの消費電力削減のために低温でCMOSを動作させることが検討されているが，バルクCMOS集積回路で使用される1018 cm-3レベルの高不純物濃度のバルクSiについて，低温における熱伝導率はほとんど調べられていない．本研究では，厚い酸化膜を有するSi基板を用いることで低温で測定が困難になる要因を排除し，高不純物濃度p型Si基板の熱伝導率を70Kにおいて3ω法を用いて測定した．