講演情報
[7a-P03-2]InP基板上BeZnTeにおける表面平坦性の評価
〇茂木 英介1、野村 一郎1 (1.上智大理工)
キーワード：
II-VI族化合物半導体
MBE法を用いてInP基板上に試料を作製した。BeZnTe層成長においてBeセル温度を変えてBe組成の異なる試料を複数用意した。作製した試料はSEM観察、XRD測定及びAFM観察により評価した。AFM測定から得られたRMS値とXRD測定から求めたBeZnTeの格子不整合度とのBeセル温度依存性を調べたところ、Beセル温度が994℃において格子整合していることが示された一方、Beセル温度が1020℃においてRMS値が最も低い値となり、より平坦性が高いことが分かった。