講演情報
[7a-P05-44]MoO3膜のテルル化によるMoTe2膜の作製とその電気特性
〇(M2)井坂 勇一郎1、石黒 康志1、立木 隆1 (1.防衛大学校)
キーワード：
二テルル化モリブデン、化学気相成長
ニ次元物質の一つである二テルル化モリブデン (MoTe2) は半導体性の2H相と半金属性の1T’相間のエネルギー障壁が小さいために相変化を利用したメモリ応用や, 2H相は単層で直接遷移型の半導体となるためオプトエレクトロニクス分野への応用などが注目されている. そのMoTe2膜の化学気相成長 (CVD) 法による成膜は, それぞれの単相膜を作製することが課題の一つであり, これまでに成長温度や時間を制御することで相を作り分ける手法が報告されている . 今回我々は三酸化モリブデン (MoO3) 膜をテルル化してMoTe2膜を作製する際のTe原料の供給量によって，成長するMoTe2膜の相の違いを調べた. また成長したMoTe2膜の電気特性を評価した.