セッション詳細
[7a-P05-1~80]17 ナノカーボン・二次元材料(ポスター)
2025年9月7日(日) 9:30 〜 11:30
P05 (体育館)
[7a-P05-1]単層カーボンナノチューブ成長における白金族ハイエントロピー合金ナノ粒子の活性部位の検討
〇坂本 陽向1、カマル サラマ1、才田 隆広1、草田 康平2、北川 宏2、丸山 隆浩1 (1.名城大理工、2.京大院理)
[7a-P05-2]有機分子を前駆体に用いた単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御におけるPt触媒粒子の作製法に関する検討
〇森 想真1、カマル プラサド サラマ2、才田 隆広1,2、丸山 隆浩1,2 (1.名城大理工、2.名城大ナノマテ研)
[7a-P05-3]Optimization of Growth Condition of Single-Walled Carbon Nanotubes with Ruthenium Catalysts toward Narrow Chirality Distribution
〇(D)MANA SELVARAJ1 (1.Meijo Univ.)
[7a-P05-4]陽性界面活性剤および有機溶媒によるN型SWCNT膜の性能最適化
〇(B)江口 明日夢1、落合 秀弥1、高尻 雅之1 (1.東海大工)
[7a-P05-5]陽性界面活性剤によるN型ドープSWCNT膜の性能評価
〇(M1)落合 秀弥1、岡野 裕太朗1、高尻 雅之1 (1.東海大院工)
[7a-P05-6]カイト成長による単一カーボンナノチューブ多チャネルデバイスを用いた環境影響下での輸送特性評価
〇劉 元嘉1、井ノ上 泰輝1、小林 慶裕1 (1.阪大工)
[7a-P05-7]単層カーボンナノチューブとゼオライト系イミダゾレート複合体のCO2応答評価
〇(B)中村 輝1、田中 直樹2,3、田中 航慎2、稲葉 優文4、藤ヶ谷 剛彦2,3,5 (1.九大工、2.九大院工、3.九大I2CNER、4.九大院シス情、5.九大CMS)
[7a-P05-8]カーボンナノチューブ複合紙を用いた“蒸気発電紙”におけるドデシル硫酸ナトリウム水溶液への含浸による性能向上検討
〇三巻 飛由1、森田 友真2、新井 皓也2、大矢 剛嗣1,3 (1.横国大院理工、2.三菱マテリアル、3.横国大 IMS)
[7a-P05-9]水素/Arアニール処理を施した一体型色素増感太陽電池紙の変換効率向上検討
〇清水 千寛1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大 IMS)
[7a-P05-10]カーボンナノチューブ分散液のみからなるヒドロゲルの熱電発電性能
〇(M1C)大久保 敦康1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大 IMS)
[7a-P05-11]CNT複合紙を用いた色素増感太陽電池紙の大面積化に関する研究
〇KOU YI1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大IMS)
[7a-P05-12]カーボンナノチューブ複合紙を用いた蒸散型熱電発電紙のpn接合型構造の検討
〇舘 和英1、森田 友真2、新井 皓也2、大矢 剛嗣1,3 (1.横国大理工、2.三菱マテリアル、3.横国大IMS)
[7a-P05-13]マイクロ波活性触媒選択加熱合成カーボンナノチューブの精製
〇(M1)藤井 雅勝1、I P. Abdi Karya1、仲川 晃平2、岩本 拓馬1、西村 文宏3、石松 亮一1、西海 豊彦1、浅野 貴行1,2、光藤 誠太郎1,2 (1.福井大工、2.福井大遠赤セ、3.福井大産学官)
[7a-P05-14]廉価なベクトルネットワークアナライザを用いたマイクロ波活性触媒由来カーボンナノチューブの誘電特性評価
〇(M1)野々村 晴1、藤井 雅勝1、照井 大和1、I P. Abdi Karya2、仲川 晃平2、石松 亮一1、西海 豊彦1、浅野 貴行1,2、光藤 誠太郎1,2 (1.福井大工、2.福井大遠赤セ)
[7a-P05-15]気体放電を用いたカーボンナノチューブ紡糸法における撚糸長尺化条件の検討(Ⅱ) -放電電極増設の効果-
〇玉井 碧1、満仲 広樹1、佐藤 英樹1 (1.三重大院工)
[7a-P05-16]鉄内包カーボンナノチューブ含有ポリマーナノファイバーにおけるナノチューブ濃度向上
〇鈴木 皐太1、藤原 裕司1、佐藤 英樹1 (1.三重大院工)
[7a-P05-17]CNT/グラフェン・ハイブリッド積層デバイスによるTHz/近赤外応答特性
〇藤方 潤一1、岩崎 拓哉2、中谷 真季3、田中 朋4、大胡 真実5、吉永 悠馬5、窪田 剛5、森山 悟士5、李 恒6、河野 行雄6,7,8、吾郷 浩樹3、弓削 亮太4 (1.徳島大、2.物材機構、3.九州大、4.NEC、5.東京電機大、6.中央大、7.KISTEC、8.NII)
[7a-P05-18]超臨界流体を用いたフラボノイドの熱分解による磁性ナノ粒子および炭素量子ドットの合成
〇貝塚 友和1、黒須 俊治2 (1.東洋大健スポ、2.東洋大BNERC)
[7a-P05-19]酸化グラフェン連続単層膜製膜に及ぼす前駆体グラファイトフレークサイズの影響
〇前田 瑛美1、De Silva Kanishka1、吉村 雅満1 (1.豊田工大工)
[7a-P05-20]鉄アザフタロシアニン担持炭素材料のプラズマ処理効果
〇(M1)入江 司1、太田 貴之1 (1.名城大理工)
[7a-P05-21]有機モリブデン錯体への高温高圧処理による 炭化モリブデンナノ粒子の合成と電極触媒評価
〇(M1)佐藤 創太1、和泉 廣樹1,2、横倉 聖也1,2、島田 敏宏1,2 (1.北大院総化、2.北大院工)
[7a-P05-22]半導体表面におけるナノカーボン・アシストエッチングの基礎特性
ー触媒膜の厚みが選択エッチングに与える影響の解明ー
〇桑田 直希1、山本 聖也1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
[7a-P05-23]垂直配向多層グラフェンの実証
〇(DC)野沢 公暉1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学院)
[7a-P05-24]サファイア上でのリボン状グラフェンの直接CVD成長
〇(M1)大原 佑希1、横平 華永1、小田 昂到1、川合 良知1、日比野 浩樹1 (1.関学大理工)
[7a-P05-25]SiC上水素インターカレーショングラフェンの水素脱離過程のSTM観察
〇(B)内田 祥汰1、ビシコフスキー アントン2、クトル シュクラン2、碇 智徳1、田中 悟2 (1.宇部高専、2.九大院工)
[7a-P05-26]SiC上グラフェンのモフォロジー制御(1)
〇(M2)和田 万里1、ビシコフスキー アントン1、田中 悟1 (1.九大院工)
[7a-P05-27]電子線改質によるグラフェンの熱輸送制御の分子動力学解析(2)
〇東山 稜平1、安田 雅昭1 (1.阪公大院工)
[7a-P05-28]Morphology control of graphene grown on SiC by CVD (2), Effects of nitrogen annealing
〇(D)Sukran Kutlu1, ANTON VISIKOVSKIY1, TANAKA SATORU1 (1.Kyushu University)
[7a-P05-29]積層グラフェンの電気伝導特性へのカリウム濃度の効果
〇沖川 侑揮1、小川 修一2、津田 泰孝3、吉越 章隆3、増澤 智昭4、岡田 光博1、山田 貴壽1 (1.産総研、2.日大、3.原子力機構、4.静大)
[7a-P05-30]HインターカレーションSiC(0001)面上多層グラフェンの仕事関数
〇(M2)久保 麿大1、Seo Insung1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
[7a-P05-31]有機染料吸着に向けた還元型酸化グラフェンヒドロゲルの作製
〇天野 晃太1、De Silva Kanishka1、Hà Thúc Chí Nhân2、Lê Hồn Nhiên2、吉村 雅満1 (1.豊田工大工、2.ホーチミン科大)
[7a-P05-32]SiC上グラフェンの電界効果トランジスタ構造形成と伝導評価
〇黄 天辰1、和田 万里2、渡邊 賢司3、谷口 尚3、田中 悟2、神田 晶申1 (1.筑波大数理物質、2.九大院工、3.NIMS)
[7a-P05-33]グラフェン/ナノスペーサ積層膜における架橋構造安定性のスペーササイズ効果
〇吉田 新之介1、丁 明達1、井ノ上 泰輝1、大喜多 弘隆2、小林 慶裕1 (1.阪大院工、2.阪大産研)
[7a-P05-34]PETフィルムへ転写したp型ドープ三層積層グラフェンのKバンド帯における電波遮蔽特性
〇富澤 嵩成1、奥田 崚太1,2、橋本 恭成1、渡辺 剛志1、須賀 良介1、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.AGC株式会社)
[7a-P05-35]SiC上グラフェンFETpHセンサにおけるCl-イオンの影響
〇植野 晃司1、古川 智知人1、大野 恭秀1 (1.徳島大学)
[7a-P05-36]グラフェン/Hf0.5Zr0.5O2ヘテロ構造による低電圧駆動電界効果トランジスタ
〇(M1)高瀬 寛士1,2、菊池 聖人1、原田 義之1,2、藤元 章1,2、小池 一歩1,2、廣芝 伸哉1,2 (1.大阪工大・工、2.大阪工大・ナノ材研)
[7a-P05-37]オゾン酸化法によるグラフェン/Si太陽電池のSiO2中間層の形成と評価
〇(M1C)木村 優斗1、井上 和志1、八木 遂行1、中根 晃紀1、八田 英嗣1、末岡 和久1、Subagyo Agus1 (1.北大院情)
[7a-P05-38]厚いNiパターンに沿った凝集現象を用いて形成されたサファイア基板上転写フリーグラフェンの電気特性
〇笹田 尚志1 (1.名工大)
[7a-P05-39]SiCリモートエピタキシャル成長の構造検証
〇森本 満1、前川 拓滋1、宮前 義範1、中原 健1、影島 博之2 (1.ローム株式会社、2.島根大院自然科学)
[7a-P05-40]DeepMDを用いたリモートエピ膜剥離の模擬
〇荒木 脩斗1、森本 満1、前川 拓滋1、宮前 義範1、中原 健1、尾方 成信2 (1.ローム株式会社、2.大阪大学)
[7a-P05-41]グラフェン/Ag/グラフェン複合膜におけるプラズモン効果による光透過性の向上
〇小島 怜1、青木 志矩馬1、中澤 金太郎1、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工)
[7a-P05-42]ERT法を用いたレーザ誘起グラフェンの欠陥分布評価
〇皆川 敬哉1、木村 勇希1、Tirawat Nontiwantok2、Winadda Wongwiriyapan2、久保 理3、生野 孝1 (1.東理大先進工、2.モンクット王工科大学ラカバン校、3.岐阜大工)
[7a-P05-43]NbSe2薄膜のCVD成長条件と結晶形状の相関
〇(M2)柵木 祥吾1、石黒 康志1、立木 隆1 (1.防衛大)
[7a-P05-44]MoO3膜のテルル化によるMoTe2膜の作製とその電気特性
〇(M2)井坂 勇一郎1、石黒 康志1、立木 隆1 (1.防衛大学校)
[7a-P05-45]Au/SiO2界面のW薄膜硫化によるWS2薄膜直接成長
〇(M2)秋元 千佳1、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工)
[7a-P05-46]層状半導体の層数に依存した有機分子膜成長
塚本 威吹1、〇(M1)飯島 涼太1、西中村 聡真1、岡田 倫志郎1、藤田 凌太1、上野 健斗1、島津 佳弘1、大野 真也1 (1.横国大院理工)
[7a-P05-47]Forster Resonance Energy Transfer between Rhodamine 6G and MoS2 Nanosheets Synthesized with Green Tea Extract
〇(D)Ankita Sarma1, Ayswarya Mukherjee1, Rathinasamy K1, Anirban Sarkar1 (1.NIT Calicut)
[7a-P05-48]Contact Engineering of 2D Materials using Sub-nm-thick Triphenylphosphine Molecular Layer
〇(P)Puneet Jain1, Daisuke Kiriya1 (1.The University of Tokyo)
[7a-P05-49]有機ポリマー被覆を介した二次元半導体の構造的変調の検討
〇(M2)直井 涼一郎1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
[7a-P05-50]Janus Ga2SSeの合成とそのRamanスペクトルの第一原理計算による検討
〇(M2)山口 頌平1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼大院理工)
[7a-P05-51]層状1T'-MoTe2と線状Mo6Te6ナノリボンの相互転移
〇(M1)中野 颯1、山田 樹1、斎藤 慎太朗1、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工)
[7a-P05-52]Caffeineのインターカレーションによる1T-MoS2合成
〇丹下 龍乃介1、横倉 聖也1,2、和泉 廣樹1,2、島田 敏宏1,2 (1.北大院総化、2.北大院工)
[7a-P05-53]ねじれWSe2三層構造におけるモアレ励起子状態に関する研究
〇作村 亮1、俣野 眞一朗1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.物質・材料研究機構)
[7a-P05-54]GeSにおける電界誘起強誘電相転移とシフト電流の発現
〇松浦 快1、俣野 眞一郎1、松田 一成1 (1.京大エネ研)
[7a-P05-55]Strain Enhanced Indirect-gap Transition of Few-layer Molybdenum Disulfide on Patterned Polymer Substrate
〇(M1)PoHan Chen1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
[7a-P05-56]酵素反応を介した二硫化モリブデン電界効果トランジスタのn型ドーピング
〇石田 奈津美1、小林 尭史1、劉 慧琴1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
[7a-P05-57]MoS₂に接合した複素環式化合物による pH 依存型ドーピング制御
〇(M1)鈴木 啄也1、小林 尭史1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
[7a-P05-58]Electrochemically Synthesized Viologen Radical for Degenerated Doping of MOSFETs
〇(D)Huiqin Liu1, Guanting Liu1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
[7a-P05-59]Voltage-Regulated Reconfigurable p- and n-type WSe2 Field-effect Transistor
〇(P)Guanting Liu1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
[7a-P05-60]第一原理計算によるMoS2薄膜における間接・直接遷移の変化機構の研究
〇平井 駿佑1、寺田 伊吹1、鈴木 通人1 (1.大阪公立大工)
[7a-P05-61]WSe2上のALD実現に向けたUV-O3暴露と真空アニールによる最表面へのSe欠陥導入
〇榎本 璃玖1、松田 健生1、柯 梦南2、クリューガー ピーター1、青木 伸之1 (1.千葉大融合理工、2.横浜国大)
[7a-P05-62]MoS2/WSe2ヘテロ構造のラマン分光・フォトルミネッセンス観測
〇高岡 毅1、Devsharma Sushen Chandra2、岡田 光博3、山田 貴壽3、久保 利隆3、安藤 淳3、米田 忠弘1 (1.東北大多元研、2.東北大院理、3.産総研)
[7a-P05-63]メチル化ゲルマナン薄膜の光電流特性の電極金属依存性の評価
〇西野 輝1、加藤 大智1、久保 理1 (1.岐阜大学院自然)
[7a-P05-64]Polarization-Induced 2DEG and 2DHG Probed by Terahertz Spectroscopy
〇Verdad Agulto1, Shuang Liu1, Kosaku Kato1, Thanh Nhat Khoa Phan1, Yu-Hsin Chen2, Chuan Chang2, Joseph Dill2, Jimy Encomendero2, Debdeep Jena2, Huili Grace Xing2, Jia Wang3, Haitao Wang3, Hiroshi Amano3, Makoto Nakajima1 (1.Univ. of Osaka, 2.Cornell Univ., 3.Nagoya Univ.)
[7a-P05-65]サスペンド単層MoS2における励起子発光の空間分布評価
〇青柳 上1、小久保 大地1、中山 紫稀1、茂木 裕幸1、嵐田 雄介1、吉田 昭二1、武内 修1、重川 秀実1 (1.筑波大数理)
[7a-P05-66]キャリア密度による黒リン/プラズモニックナノ格子の吸収波長制御
〇岩川 学1、福島 昌一郎1、嶋谷 政彰1、小川 新平1 (1.三菱電機(株))
[7a-P05-67]Cs/O2吸着MoS2表面の光支援熱電子放出と吸着状態の解析
〇(M1)松嶋 力哉1、荻野 明久1 (1.静大院工)
[7a-P05-68]CNT-Modified Transition Metal Dichalcogenide Memristors for Brain-Inspired Nociceptive Emulation
〇(P)Elamaran Durgadevi1, Masahiro Sakai1, Daisuke Kiriya1 (1.The Univ. of Tokyo)
[7a-P05-69]硫化ガリウムをバッファ層とする層状物質チャネル電界効果トランジスタにおけるヒステリシスの低減
〇(M1)椎名 嶺1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
[7a-P05-70]MoS2 とカーボンナノチューブをチャネルとする FET 型ガスセンサの応答特性の比較
〇稲葉 優文1、岡田 光博2、沖川 侑揮2、山田 貴壽2 (1.九大シス情、2.産総研)
[7a-P05-71]Doping-dependent valley polarization induced by Mott transition in WSe2/WS2 moiré superlattice
〇(D)Li Zhiwei1, Kazunari Matsuda1, Takashi Taniguchi2, Kenji Watanabe2 (1.Kyoto Univ., 2.NIMS)
[7a-P05-72]二次元磁性層状物質CrPS4におけるバルク光起電力効果
〇朝田 秀一1、俣野 眞一朗1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.物質・材料研究機構)
[7a-P05-73]In-situ硫黄蒸着によるMoS2の電子・光学物性の変調
〇(DC)吉田 巧1、濱本 英幹1、石黒 康志2、高井 和之1 (1.法政大院理工、2.防衛大電気電子工)
[7a-P05-74]MoTe2を用いたメモリ、セレクタデバイス動作と素子構造の改善
〇宇澤 拳太郎1、筒井 博隆1、岩崎 拓哉2、早川 竜馬2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、中払 周3、若山 裕2、森山 悟士1 (1.東京電機大学、2.NIMS、3.東京工科大学)
[7a-P05-75]WSe2上へのF6-TCNNQ単層膜によるデュアルゲートFETの特性向上
〇松田 健生1、野口 裕士1、瀬戸 大暉1、柯 梦南2、熊谷 翔平3、岡本 敏宏3、青木 伸之1 (1.千葉大院、2.横国大院、3.科学大院)
[7a-P05-76]MoTe2を用いた抵抗変化型デバイスのスイッチング応答評価
〇筒井 博隆1、宇澤 拳太郎1、岩崎 拓哉2、早川 竜馬2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、中払 周3、若山 裕2、森山 悟士1 (1.東京電機大学、2.NIMS、3.東京工科大)
[7a-P05-77]MoS2転写に特化したUVテープの開発とトランジスタ応用
〇長谷川 菜花1、深町 悟1、中谷 真季1、内田 愛佳1、本田 哲士2、保井 淳2、吾郷 浩樹1,3 (1.九大院総理工、2.日東電工、3.九大半導体セ)
[7a-P05-78]TaS2上にオゾン酸化形成したTaOx膜をゲート誘電体とするMoS2 FETのヒステリシス特性
〇(M2)佐橋 悠太朗1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)
[7a-P05-79]Observation of Shift Current in Bulk GeSe during Antiferroelectric to Ferroelectric Phase Transition
〇Joanne Martinez1, Shinichiro Matano1, Kazunari Matsuda1 (1.Kyoto Univ.)
[7a-P05-80]遷移金属ダイカルコゲナイドの金剝離と残渣評価
〇中村 優友1、中山 祐輔1、衡 彦君1、青木 伸之1 (1.千葉大学 融合理工)