セッション詳細
[7a-P05-1~80]17 ナノカーボン・二次元材料(ポスター)
2025年9月7日(日) 9:30 〜 11:30
P05 (体育館)
[7a-P05-1]単層カーボンナノチューブ成長における白金族ハイエントロピー合金ナノ粒子の活性部位の検討
〇坂本 陽向1、カマル サラマ1、才田 隆広1、草田 康平2、北川 宏2、丸山 隆浩1 (1.名城大理工、2.京大院理)
[7a-P05-2]有機分子を前駆体に用いた単層カーボンナノチューブのカイラリティ制御におけるPt触媒粒子の作製法に関する検討
〇森 想真1、カマル プラサド サラマ2、才田 隆広1,2、丸山 隆浩1,2 (1.名城大理工、2.名城大ナノマテ研)
[7a-P05-3]Optimization of Growth Condition of Single-Walled Carbon Nanotubes with Ruthenium Catalysts toward Narrow Chirality Distribution
〇(D)MANA SELVARAJ1 (1.Meijo Univ.)
[7a-P05-7]単層カーボンナノチューブとゼオライト系イミダゾレート複合体のCO2応答評価
〇(B)中村 輝1、田中 直樹2,3、田中 航慎2、稲葉 優文4、藤ヶ谷 剛彦2,3,5 (1.九大工、2.九大院工、3.九大I2CNER、4.九大院シス情、5.九大CMS)
[7a-P05-8]カーボンナノチューブ複合紙を用いた“蒸気発電紙”におけるドデシル硫酸ナトリウム水溶液への含浸による性能向上検討
〇三巻 飛由1、森田 友真2、新井 皓也2、大矢 剛嗣1,3 (1.横国大院理工、2.三菱マテリアル、3.横国大 IMS)
[7a-P05-12]カーボンナノチューブ複合紙を用いた蒸散型熱電発電紙のpn接合型構造の検討
〇舘 和英1、森田 友真2、新井 皓也2、大矢 剛嗣1,3 (1.横国大理工、2.三菱マテリアル、3.横国大IMS)
[7a-P05-13]マイクロ波活性触媒選択加熱合成カーボンナノチューブの精製
〇(M1)藤井 雅勝1、I P. Abdi Karya1、仲川 晃平2、岩本 拓馬1、西村 文宏3、石松 亮一1、西海 豊彦1、浅野 貴行1,2、光藤 誠太郎1,2 (1.福井大工、2.福井大遠赤セ、3.福井大産学官)
[7a-P05-14]廉価なベクトルネットワークアナライザを用いたマイクロ波活性触媒由来カーボンナノチューブの誘電特性評価
〇(M1)野々村 晴1、藤井 雅勝1、照井 大和1、I P. Abdi Karya2、仲川 晃平2、石松 亮一1、西海 豊彦1、浅野 貴行1,2、光藤 誠太郎1,2 (1.福井大工、2.福井大遠赤セ)
[7a-P05-17]CNT/グラフェン・ハイブリッド積層デバイスによるTHz/近赤外応答特性
〇藤方 潤一1、岩崎 拓哉2、中谷 真季3、田中 朋4、大胡 真実5、吉永 悠馬5、窪田 剛5、森山 悟士5、李 恒6、河野 行雄6,7,8、吾郷 浩樹3、弓削 亮太4 (1.徳島大、2.物材機構、3.九州大、4.NEC、5.東京電機大、6.中央大、7.KISTEC、8.NII)
[7a-P05-21]有機モリブデン錯体への高温高圧処理による 炭化モリブデンナノ粒子の合成と電極触媒評価
〇(M1)佐藤 創太1、和泉 廣樹1,2、横倉 聖也1,2、島田 敏宏1,2 (1.北大院総化、2.北大院工)
[7a-P05-22]半導体表面におけるナノカーボン・アシストエッチングの基礎特性
ー触媒膜の厚みが選択エッチングに与える影響の解明ー
〇桑田 直希1、山本 聖也1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
[7a-P05-25]SiC上水素インターカレーショングラフェンの水素脱離過程のSTM観察
〇(B)内田 祥汰1、ビシコフスキー アントン2、クトル シュクラン2、碇 智徳1、田中 悟2 (1.宇部高専、2.九大院工)
[7a-P05-28]Morphology control of graphene grown on SiC by CVD (2), Effects of nitrogen annealing
〇(D)Sukran Kutlu1, ANTON VISIKOVSKIY1, TANAKA SATORU1 (1.Kyushu University)
[7a-P05-29]積層グラフェンの電気伝導特性へのカリウム濃度の効果
〇沖川 侑揮1、小川 修一2、津田 泰孝3、吉越 章隆3、増澤 智昭4、岡田 光博1、山田 貴壽1 (1.産総研、2.日大、3.原子力機構、4.静大)
[7a-P05-31]有機染料吸着に向けた還元型酸化グラフェンヒドロゲルの作製
〇天野 晃太1、De Silva Kanishka1、Hà Thúc Chí Nhân2、Lê Hồn Nhiên2、吉村 雅満1 (1.豊田工大工、2.ホーチミン科大)
[7a-P05-32]【講演者欠席】SiC上グラフェンの電界効果トランジスタ構造形成と伝導評価
〇黄 天辰1、和田 万里2、渡邊 賢司3、谷口 尚3、田中 悟2、神田 晶申1 (1.筑波大数理物質、2.九大院工、3.NIMS)
[7a-P05-33]グラフェン/ナノスペーサ積層膜における架橋構造安定性のスペーササイズ効果
〇吉田 新之介1、丁 明達1、井ノ上 泰輝1、大喜多 弘隆2、小林 慶裕1 (1.阪大院工、2.阪大産研)
[7a-P05-34]PETフィルムへ転写したp型ドープ三層積層グラフェンのKバンド帯における電波遮蔽特性
〇富澤 嵩成1、奥田 崚太1,2、橋本 恭成1、渡辺 剛志1、須賀 良介1、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.AGC株式会社)
[7a-P05-36]グラフェン/Hf0.5Zr0.5O2ヘテロ構造による低電圧駆動電界効果トランジスタ
〇(M1)高瀬 寛士1,2、菊池 聖人1、原田 義之1,2、藤元 章1,2、小池 一歩1,2、廣芝 伸哉1,2 (1.大阪工大・工、2.大阪工大・ナノ材研)
[7a-P05-37]オゾン酸化法によるグラフェン/Si太陽電池のSiO2中間層の形成と評価
〇(M1C)木村 優斗1、井上 和志1、八木 遂行1、中根 晃紀1、八田 英嗣1、末岡 和久1、Subagyo Agus1 (1.北大院情)
[7a-P05-41]グラフェン/Ag/グラフェン複合膜におけるプラズモン効果による光透過性の向上
〇小島 怜1、青木 志矩馬1、中澤 金太郎1、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工)
[7a-P05-42]ERT法を用いたレーザ誘起グラフェンの欠陥分布評価
〇皆川 敬哉1、木村 勇希1、Tirawat Nontiwantok2、Winadda Wongwiriyapan2、久保 理3、生野 孝1 (1.東理大先進工、2.モンクット王工科大学ラカバン校、3.岐阜大工)
[7a-P05-46]層状半導体の層数に依存した有機分子膜成長
塚本 威吹1、〇(M1)飯島 涼太1、西中村 聡真1、岡田 倫志郎1、藤田 凌太1、上野 健斗1、島津 佳弘1、大野 真也1 (1.横国大院理工)
[7a-P05-47]Forster Resonance Energy Transfer between Rhodamine 6G and MoS2 Nanosheets Synthesized with Green Tea Extract
〇(D)Ankita Sarma1, Ayswarya Mukherjee1, Rathinasamy K1, Anirban Sarkar1 (1.NIT Calicut)
[7a-P05-48]Contact Engineering of 2D Materials using Sub-nm-thick Triphenylphosphine Molecular Layer
〇(P)Puneet Jain1, Daisuke Kiriya1 (1.The University of Tokyo)
[7a-P05-52]Caffeineのインターカレーションによる1T-MoS2合成
〇丹下 龍乃介1、横倉 聖也1,2、和泉 廣樹1,2、島田 敏宏1,2 (1.北大院総化、2.北大院工)
[7a-P05-53]ねじれWSe2三層構造におけるモアレ励起子状態に関する研究
〇作村 亮1、俣野 眞一朗1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.物質・材料研究機構)
[7a-P05-55]Strain Enhanced Indirect-gap Transition of Few-layer Molybdenum Disulfide on Patterned Polymer Substrate
〇(M1)PoHan Chen1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
[7a-P05-58]Electrochemically Synthesized Viologen Radical for Degenerated Doping of MOSFETs
〇(D)Huiqin Liu1, Guanting Liu1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
[7a-P05-59]Voltage-Regulated Reconfigurable p- and n-type WSe2 Field-effect Transistor
〇(P)Guanting Liu1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
[7a-P05-61]WSe2上のALD実現に向けたUV-O3暴露と真空アニールによる最表面へのSe欠陥導入
〇榎本 璃玖1、松田 健生1、柯 梦南2、クリューガー ピーター1、青木 伸之1 (1.千葉大融合理工、2.横浜国大)
[7a-P05-62]MoS2/WSe2ヘテロ構造のラマン分光・フォトルミネッセンス観測
〇高岡 毅1、Devsharma Sushen Chandra2、岡田 光博3、山田 貴壽3、久保 利隆3、安藤 淳3、米田 忠弘1 (1.東北大多元研、2.東北大院理、3.産総研)
[7a-P05-64]Polarization-Induced 2DEG and 2DHG Probed by Terahertz Spectroscopy
〇Verdad Agulto1, Shuang Liu1, Kosaku Kato1, Thanh Nhat Khoa Phan1, Yu-Hsin Chen2, Chuan Chang2, Joseph Dill2, Jimy Encomendero2, Debdeep Jena2, Huili Grace Xing2, Jia Wang3, Haitao Wang3, Hiroshi Amano3, Makoto Nakajima1 (1.Univ. of Osaka, 2.Cornell Univ., 3.Nagoya Univ.)
[7a-P05-65]サスペンド単層MoS2における励起子発光の空間分布評価
〇青柳 上1、小久保 大地1、中山 紫稀1、茂木 裕幸1、嵐田 雄介1、吉田 昭二1、武内 修1、重川 秀実1 (1.筑波大数理)
[7a-P05-68]CNT-Modified Transition Metal Dichalcogenide Memristors for Brain-Inspired Nociceptive Emulation
〇(P)Elamaran Durgadevi1, Masahiro Sakai1, Daisuke Kiriya1 (1.The Univ. of Tokyo)
[7a-P05-69]硫化ガリウムをバッファ層とする層状物質チャネル電界効果トランジスタにおけるヒステリシスの低減
〇(M1)椎名 嶺1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
[7a-P05-70]MoS2 とカーボンナノチューブをチャネルとする FET 型ガスセンサの応答特性の比較
〇稲葉 優文1、岡田 光博2、沖川 侑揮2、山田 貴壽2 (1.九大シス情、2.産総研)
[7a-P05-71]Doping-dependent valley polarization induced by Mott transition in WSe2/WS2 moiré superlattice
〇(D)Li Zhiwei1, Kazunari Matsuda1, Takashi Taniguchi2, Kenji Watanabe2 (1.Kyoto Univ., 2.NIMS)
[7a-P05-72]二次元磁性層状物質CrPS4におけるバルク光起電力効果
〇朝田 秀一1、俣野 眞一朗1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.物質・材料研究機構)
[7a-P05-74]MoTe2を用いたメモリ、セレクタデバイス動作と素子構造の改善
〇宇澤 拳太郎1、筒井 博隆1、岩崎 拓哉2、早川 竜馬2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、中払 周3、若山 裕2、森山 悟士1 (1.東京電機大学、2.NIMS、3.東京工科大学)
[7a-P05-75]WSe2上へのF6-TCNNQ単層膜によるデュアルゲートFETの特性向上
〇松田 健生1、野口 裕士1、瀬戸 大暉1、柯 梦南2、熊谷 翔平3、岡本 敏宏3、青木 伸之1 (1.千葉大院、2.横国大院、3.科学大院)
[7a-P05-76]MoTe2を用いた抵抗変化型デバイスのスイッチング応答評価
〇筒井 博隆1、宇澤 拳太郎1、岩崎 拓哉2、早川 竜馬2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、中払 周3、若山 裕2、森山 悟士1 (1.東京電機大学、2.NIMS、3.東京工科大)
[7a-P05-77]MoS2転写に特化したUVテープの開発とトランジスタ応用
〇長谷川 菜花1、深町 悟1、中谷 真季1、内田 愛佳1、本田 哲士2、保井 淳2、吾郷 浩樹1,3 (1.九大院総理工、2.日東電工、3.九大半導体セ)
[7a-P05-78]TaS2上にオゾン酸化形成したTaOx膜をゲート誘電体とするMoS2 FETのヒステリシス特性
〇(M2)佐橋 悠太朗1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)
[7a-P05-79]Observation of Shift Current in Bulk GeSe during Antiferroelectric to Ferroelectric Phase Transition
〇Joanne Martinez1, Shinichiro Matano1, Kazunari Matsuda1 (1.Kyoto Univ.)